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快科技 4 月 26 日音问白虎 女，在近日举办的北好意思技能论坛上，台积电初次公开了 N2 2nm 工艺的弱势率 ( D0 ) 情况，比此前的 7nm、5nm、3nm 等历代工艺王人好的多。

台积电莫得给出具体数据，仅仅比拟了几个工艺弱势率随时辰变化的趋势。

台积电 N2 初次引入了 GAAFET 全环绕晶体管，现在距离大范围量产还有 2 个季度白虎 女，也即是要比及年底。

N2 试产近 2 个月来，弱势率和同期的 N5/N4 差未几，还略微低少许，同期显赫优于 N7/N6、N3/N3P。

从试产到量产半年的时辰周期内，N7/N6 的空洞弱势率是最高的，N3/N3P 从量产启动就低得多了，N5/N4 情况更好，从试产启动就显着更低。

N2 如若能络续 N5/N4 的趋势，出路无疑口角常光明的。

台积电还指出，一种工艺的弱势率能否快速裁汰，除了取决于自己的运筹帷幄和技能，也要看制造芯片数目、产能范围，越多越大就越容易发现弱势并改良。

台积电 N2 已流片的芯片数目就显着更多，亦然其粗略快速裁汰弱势率的要害原因。